インターフェロメトリック変調器に関するプロセスコントロールモニター

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (12件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 白根俊郎 , 村松貞男 , 野河信久 , 砂川克 , 橋本良郎 , 風間鉄也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-533554
公開番号（公開出願番号）：特表2008-516267
出願日： 2005年09月16日
公開日（公表日）： 2008年05月15日
要約：

【課題】インターフェロメトリック変調器に関するプロセスコントロールモニター【解決手段】 MEMSデバイス108の製造に用いられるプロセスステップと同じプロセスステップの少なくとも一部を用いて製造されるプロセスコントロールモニター100、102、及び104が開示される。プロセスコントロールモニター100、102、及び104の分析は、MEMSデバイス108の性質及び前記デバイス内の構成要素又は副構成要素に関する情報を提供することができる。この情報は、加工の際の誤りを識別するために又はMEMSデバイス108を最適化するために用いることができる。幾つかの実施形態においては、プロセスコントロールモニター100、102、及び104の分析は、光学的測定値を利用することができる。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

微小電気機械システム(MEMS)を製造するために用いられる製造プロセスに関する情報を入手する方法であって、一連の堆積及びパターン形成ステップを通じて少なくとも1つのMEMS構造物を基板の第1の側部に形成することと、前記一連の堆積及びパターン形成ステップを利用して少なくとも1つのテストユニットを前記基板の前記第1の側部に同時に形成することであって、前記テストユニットは、前記MEMS構造物との少なくとも1つの構造上の相違点を有することと、前記テストユニットから反射された光を前記基板の前記第1の側部の反対側の第2の側部から検出することであって、前記検出された光は、前記堆積及びパターン形成ステップ中に堆積又は除去された少なくとも1つの材料の特性を提供すること、とを具備する方法。

IPC (2件)：

G02B 26/08 , B81C 5/00

FI (2件)：

G02B26/08 E , B81C5/00

Fターム (28件)：

2H141MA15 , 2H141MA18 , 2H141MB23 , 2H141MB28 , 2H141MB63 , 2H141MC06 , 2H141MD02 , 2H141MD04 , 2H141MD31 , 2H141ME09 , 2H141MF25 , 2H141MG03 , 2H141MZ03 , 2H141MZ11 , 2H141MZ16 , 2H141MZ17 , 2H141MZ20 , 3C081BA33 , 3C081BA44 , 3C081BA48 , 3C081BA53 , 3C081BA72 , 3C081CA03 , 3C081CA13 , 3C081CA26 , 3C081DA24 , 3C081EA08 , 3C081EA11

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