特許

J-GLOBAL ID：200903069828881324

薄膜太陽電池の製造方法

発明者： 村松 信一 ,  梶山 博司
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-065863
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283429
出願日： 1994年04月04日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】 熱的な結晶化温度よりも低い温度で高品質な結晶薄膜を形成することのできる薄膜結晶太陽電池の製造方法を提供すること。【構成】 上記目的は、少なくとも基板の主面上に結晶半導体薄膜と電極とを備えてなる薄膜太陽電池の製造において、まず上記結晶半導体薄膜の一部を非晶質層もしくは微結晶層として形成し、次いで該層にX線を照射することによって結晶化させることを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法とすることによって達成することができる。

請求項（抜粋）：

少なくとも基板の主面上に結晶半導体薄膜と電極とを備えてなる薄膜太陽電池の製造において、まず上記結晶半導体薄膜の一部を非晶質層もしくは微結晶層として形成し、次いで該層にX線を照射することによって結晶化させることを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/20

FI (3件)：

H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 X

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平2-197177
  
• 特開昭63-152177
  
• 特開昭63-102310
  
• 特開平2-164077
  
• 特開平2-271611