特許

J-GLOBAL ID：200903069830833604

酸化物電極薄膜およびその製造方法

発明者： 樋口 天光 ,  岩下 節也 ,  宮澤 弘
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-305744
公開番号（公開出願番号）：特開2001-122629
出願日： 1999年10月27日
公開日（公表日）： 2001年05月08日
要約：

【要約】【課題】 強誘電体キャパシタでリーク電流低減などに有効な電極材料として用いられているSrRuO3薄膜においては、SrO面とRuO2面の積層順序が容易に入れ替わって層状構造Srn+1RunO3n+1(nは1以上の整数)をとるため、厳密な組成制御が困難であった。【解決手段】 レーザーアブレーションによる製膜工程において、SrOx(0x2)とRuOx(0x2)の2つのターゲットを用い、反射高速電子線回折RHEEDの強度振動を観察しながら一原子層の成長が完結した時点でターゲットを切り替え、(100)Si基板1上にSrO一原子層2とRuO2一原子層3を交互に堆積することにより、厳密に組成制御されたSrn+1RunO3n+1(nは1以上の整数)酸化物電極薄膜を得る。

請求項（抜粋）：

強誘電体メモリなどの酸化物デバイスに用いる酸化物電極薄膜において、前記酸化物電極薄膜は、一般式Srn+1RunO3n+1(nは1以上の整数)で表される化合物からなることを特徴とする酸化物電極薄膜。

IPC (5件)：

C01G 55/00 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/28 ,  H01B 1/08 ,  H01B 5/14

FI (5件)：

C01G 55/00 ,  C23C 14/08 K ,  C23C 14/28 ,  H01B 1/08 ,  H01B 5/14 Z

Fターム (19件)：

4G048AA05 ,  4G048AB01 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4G048AD08 ,  4G048AE05 ,  4K029BA50 ,  4K029BB07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029DB05 ,  4K029DB14 ,  4K029DB20 ,  5G301CA02 ,  5G301CA21 ,  5G301CD02 ,  5G301CE01 ,  5G307GA08 ,  5G307GC02