特許

J-GLOBAL ID：200903069833351112

炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者： 宮原 真一朗 ,  奥野 英一
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-157594
公開番号（公開出願番号）：特開2009-302436
出願日： 2008年06月17日
公開日（公表日）： 2009年12月24日
要約：

【課題】ディープ層がより深く形成されるようにすることで、トレンチを形成する際のプロセスウィンドウを大きく取れるようにする。【解決手段】p型ディープ層10を形成する際に、オフ角をキャンセルする方向に傾斜させた斜めイオン注入によりp型不純物を注入する。これにより、より深い位置までp型ディープ層10を形成することが可能となる。したがって、p型ディープ層10の底部からトレンチ6の底部のギャップを大きくとることが可能になり、トレンチ6を形成する際のプロセスウィンドウを大きく取ることが可能となる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素からなり、所定の面方位に対して所定角度オフ角が設けられたオフ基板からなる第1または第2導電型の基板(1)上に、第1導電型の炭化珪素からなるドリフト層(2)を形成する工程と、 前記ドリフト層(2)の表面にマスク(20)を配置した後、該マスク(20)を用いたイオン注入を行うことにより、第2導電型のディープ層(10)を形成する工程と、 前記ディープ層(10)および前記ドリフト層(2)の上に第2導電型の炭化珪素からなるベース領域(3)を形成する工程と、 前記ベース領域(3)内における該ベース領域(3)の表層部に第1導電型不純物をイオン注入することにより、前記ドリフト層(2)よりも高濃度の第1導電型の炭化珪素にて構成されたソース領域(4)を形成する工程と、 前記ソース領域(4)の表面から前記ベース領域(3)を貫通して前記ドリフト層(2)に達し、かつ、前記ディープ層(10)よりも浅くなるようにトレンチ(6)を形成する工程と、 前記トレンチ(6)内に、第1導電型の炭化珪素からなるチャネル層(7)を形成する工程と、 前記トレンチ(6)内において、前記チャネル層(7)の表面にゲート絶縁膜(8)を形成する工程と、 前記トレンチ(5)内において、前記ゲート絶縁膜(8)の上にゲート電極(9)を形成する工程と、 前記ソース領域(4)および前記ベース領域(3)に電気的に接続されるソース電極(11)を形成する工程と、 前記基板(1)の裏面側にドレイン電極(13)を形成する工程と、を含み、 前記ディープ層(10)の形成工程では、前記基板(1)および前記基板(1)の面方位が継承される前記ドリフト層(2)に対して、前記基板(1)の垂直方向よりも前記オフ角をキャンセルする方向に傾斜させた斜めイオン注入を行うことにより、第2導電型不純物を前記ドリフト層(2)に注入し、該注入された前記第2導電型不純物を活性化することにより前記ディープ層(10)を形成することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12

FI (4件)：

H01L29/78 658A ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652E ,  H01L29/78 652J

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 炭化珪素半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-009625   出願人：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所