半導体レーザ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河野登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-041492
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260716
出願日： 1993年03月02日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】【目的】低雑音特性を有する自励発振型の半導体レーザを提供する。【構成】基板1上にバッファ層2及びクラッド層3が形成してある。クラッド層3の内部に歪量子井戸可飽和吸収層6が挿入してあり、この歪量子井戸可飽和吸収層6は、歪+ 0.5〜 1.0%,膜厚 100ÅのGaInPからなる井戸層6bと、膜厚50ÅのAlGaInPからなるバリア層6aとを交互に形成してなる。クラッド層3の上には歪MQW活性層4が形成してあり、その上には前述と同様の歪量子井戸可飽和吸収層6を備えるクラッド層5が形成してある。クラッド層5上にはコンタクト層7が形成してあり、リッジ状のクラッド層5上部及びコンタクト層7の両側はブロック層8,8にて埋め込んである。ブロック層8,8及びコンタクト層7の上側にはキャップ層9が形成してある。キャップ層9の上面にはp電極10が、基板1の下面にはn電極11が夫々形成してある。

請求項（抜粋）：

基板上に、一導電型クラッド層と、活性層と、他導電型クラッド層とをこの順に備え、前記一導電型クラッド層及び/又は前記他導電型クラッド層の上,下面又は内部に可飽和吸収層を形成してなる自励発振型の半導体レーザにおいて、前記可飽和吸収層として量子井戸可飽和吸収層を形成してあることを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭63-314835
特開昭63-202083
特公平2-013459

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