特許
J-GLOBAL ID：200903069839751392
発光素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-213516
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064418
出願日： 1995年08月22日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【目的】 紫外域から青色にわたる発光波長を有する半導体レーザを、結晶の光学特性を損なうことなく構成できる発光素子及びその製造方法を提供する。【構成】 基板10と、基板上に形成された、AlN、GaN、又はAlxGa1-xNよりなるバッファ層12と、バッファ層12上に形成された、AlxGa1-xNよりなる第1のクラッド層16と、第1のクラッド層上に形成された発光層20と、発光層20上に形成された、AlxGa1-xNよりなる第2のクラッド層24とにより構成する。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成された、AlN、GaN、又はAlxGa1-xNよりなるバッファ層と、前記バッファ層上に形成された、AlxGa1-xNよりなる第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された、AlxGa1-xNよりなる第2のクラッド層とを有することを特徴とする発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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