特許

J-GLOBAL ID：200903069847213332

半導体装置の製造方法および半導体製造装置

発明者： 田中 博司
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-275441
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106356
出願日： 1998年09月29日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：

【要約】【課題】 エッチングレートが様々に変化してもエッチング終了点を高精度に設定することができ、高精度なエッチング処理を再現性良く行うことのできる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。【解決手段】 光源8aから多波長光9を半導体ウエハ1に照射し、透光性を有する膜1aの表面と下地とからの反射光によって生じる干渉光10の強度比率を計測することにより、透光性を有する膜1aの膜厚を計測してエッチングの終了点を予測する。この作業を時間を変化させて繰り返し、エッチング終了点の検出を行う。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハを処理槽内の処理液中に浸漬することにより上記半導体ウエハ上の透光性を有する膜をエッチングする半導体装置の製造方法において、上記透光性を有する膜に多波長光を照射し、上記透光性を有する膜の表面と下地とからの反射光によって生じる干渉光の強度変化から、上記透光性を有する膜の膜厚を計測して上記透光性を有する膜のエッチング終了点の検出を行うようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/306 U ,  H01L 21/302 E

Fターム (14件)：

5F004BB24 ,  5F004CB09 ,  5F004CB16 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004EA10 ,  5F043AA31 ,  5F043AA35 ,  5F043DD25 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043EE24 ,  5F043EE25 ,  5F043EE35