特許

J-GLOBAL ID：200903069852089500

シリコンナノ結晶発光素子及びその製造方法

発明者： 林 真至 ,  藤井 稔 ,  三村 篤司 ,  山本 恵一
出願人/特許権者： 学校法人慶應義塾 ,  日本学術振興会
代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-213092
公開番号（公開出願番号）：特開2001-040348
出願日： 1999年07月28日
公開日（公表日）： 2001年02月13日
要約：

【要約】【課題】 シリコンナノ結晶発光素子及びその製造方法に関し、安定で発光効率の高いシリコンナノ結晶発光素子を提供する。【解決手段】 シリコンナノ結晶をSiO2 中に埋め込むとともに、SiO2 中に、シリコンナノ結晶とSiO2 との熱膨張係数の差を緩和し、且つ、シリコンナノ結晶の発生時にシリコンナノ結晶中に実効的に含有されない不純物を含有させる。

請求項（抜粋）：

シリコンナノ結晶をSiO2 中に埋め込むとともに、前記SiO2 中に、前記シリコンナノ結晶とSiO2 との熱膨張係数の差を緩和し、且つ、前記シリコンナノ結晶の発生時にシリコンナノ結晶中に実効的に含有されない不純物を含有させることを特徴とするシリコンナノ結晶発光素子。

IPC (3件)：

C09K 11/59 ,  C09K 11/08 ,  H01S 5/34

FI (3件)：

C09K 11/59 ,  C09K 11/08 A ,  H01S 5/34

Fターム (9件)：

4H001CC11 ,  4H001CF01 ,  4H001XA14 ,  5F073AA51 ,  5F073AA75 ,  5F073CA24 ,  5F073CB19 ,  5F073DA16 ,  5F073DA35