特許

J-GLOBAL ID：200903069857777099

固体撮像装置

発明者： 大内 宏
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-297398
公開番号（公開出願番号）：特開2007-110299
出願日： 2005年10月12日
公開日（公表日）： 2007年04月26日
要約：

【課題】欠陥画素のアドレス記憶用のメモリの容量を固体撮像素子の全画素数相当より少ないものとしながら、連続画素欠陥を防止できるようにする。【解決手段】2次元行列状の固体撮像素子2と、固体撮像素子からの画素データの画素欠陥を検出する画素欠陥検出回路6と、検出した画素欠陥のある画素のアドレスを欠陥画素アドレスとして記憶する欠陥画素アドレス用メモリ7と、欠陥画素アドレスに基づいて、混合前の画素配列で画素混合すれば連続画素欠陥となる連続欠陥画素配列を判定し、連続欠陥画素配列に対応する領域の画素に対して画素混合の対象から選択を外すように画素混合対象アドレスデータを生成する画素選択回路8と、固体撮像素子の電荷蓄積・電荷読み出しの制御を行うもので、画素混合モード時には画素選択回路8からの画素混合対象アドレスデータが指示する画素混合すべき画素から電荷を読み出して画素混合を行うセンサー駆動回路1とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

2次元行列状に配置された複数の画素を有する固体撮像素子と、 前記固体撮像素子から出力される画素データにおいて画素欠陥を検出する画素欠陥検出回路と、 前記画素欠陥検出回路が検出した画素欠陥のある画素のアドレスを欠陥画素アドレスとして記憶する欠陥画素アドレス用メモリと、 前記欠陥画素アドレス用メモリにおける欠陥画素アドレスに基づいて、混合前の画素配列で画素混合すれば連続画素欠陥となる連続欠陥画素配列を判定し、前記連続欠陥画素配列に対応する領域の画素に対して画素混合の対象から選択を外すように画素混合対象アドレスデータを生成する画素選択回路と、 前記固体撮像素子の電荷蓄積・電荷読み出しの制御を行うもので、画素混合モード時には前記画素選択回路からの前記画素混合対象アドレスデータが指示する画素混合すべき画素から電荷を読み出して画素混合を行うセンサー駆動回路とを備えた固体撮像装置。

IPC (3件)：

H04N 5/335 ,  H04N 5/232 ,  H01L 27/14

FI (3件)：

H04N5/335 P ,  H04N5/232 Z ,  H01L27/14 Z

Fターム (35件)：

4M118AA07 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118DD09 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  5C024AX01 ,  5C024BX01 ,  5C024CX21 ,  5C024CX22 ,  5C024CX23 ,  5C024DX01 ,  5C024EX52 ,  5C024GX03 ,  5C024GY01 ,  5C024GY31 ,  5C024HX02 ,  5C024HX04 ,  5C024HX14 ,  5C024HX18 ,  5C024HX28 ,  5C024HX29 ,  5C024HX30 ,  5C122DA03 ,  5C122DA04 ,  5C122EA14 ,  5C122FC01 ,  5C122FC02 ,  5C122FC10 ,  5C122FC11 ,  5C122GA24 ,  5C122HA42 ,  5C122HA88 ,  5C122HB01 ,  5C122HB03

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-196409   出願人：松下電器産業株式会社
• 撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-219974   出願人：キヤノン株式会社