特許
J-GLOBAL ID：200903069858732773

光アシスト磁気ヘッド及び光アシスト磁気ディスク装置

発明者：
上柳 喜一

上柳 喜一 について


出願人/特許権者：
富士ゼロックス株式会社

富士ゼロックス株式会社 について


代理人 (2件)： 平田 忠雄 ,  遠藤 和光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-270552
公開番号（公開出願番号）：特開2007-052918
出願日： 2006年10月02日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：
【課題】高密度記録が可能で、光利用効率および信頼性を向上させた光アシスト磁気ヘッドおよび光アシスト磁気ディスク装置を提供することを目的とする。【解決手段】この光アシスト磁気ヘッド1は、浮上スライダ2の後端面2aに、半導体レーザからのレーザ光を出射する光導波路5と、磁気抵抗センサ3と、薄膜磁気トランスデューサ4とを集積し、光導波路5の出射端5cに磁気ギャップ34を形成している。近接場光の位置と薄膜磁気トランスデューサにより形成される磁界との距離は最短となる。そのため、近接場光によって加熱されると同時又は直後に記録されるため、熱拡散の影響は無視でき、レーザ光の利用効率を高めることができる。また、加熱部が熱拡散により広がらないため、記録部分を狭めることができ、高密度化が可能となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
記録媒体を有するディスクの回転によって浮上走行する浮上スライダと、 前記浮上スライダに設けられ、半導体レーザからのレーザ光を出射端から前記記録媒体に出射して前記記録媒体を加熱する光導波路と、 前記浮上スライダに設けられ、前記レーザ光によって加熱された前記記録媒体の部分に磁気ギャップに形成された磁界によって情報を記録する薄膜磁気トランスデューサとを備え、 前記磁気ギャップは、前記光導波路の前記出射端のレーザ光出射位置あるいはその近傍に形成されていることを特徴とする光アシスト磁気ヘッド。
IPC (4件)：
G11B 5/02 ,  G11B 11/10 ,  G11B 11/105 ,  G11B 5/31
FI (7件)：
G11B5/02 T ,  G11B11/10 502Z ,  G11B11/105 571H ,  G11B11/105 566C ,  G11B5/31 A ,  G11B5/31 E ,  G11B5/31 K
Fターム (11件)：
5D033BA22 ,  5D033BA80 ,  5D033BB43 ,  5D075AA03 ,  5D075CC04 ,  5D075CE17 ,  5D075CF08 ,  5D091AA08 ,  5D091CC18 ,  5D091CC24 ,  5D091HH20
引用特許：
審査官引用 (8件)
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