特許
J-GLOBAL ID：200903069859912198
半導体素子冷却用ヒートシンク
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川和 高穂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-065933
公開番号（公開出願番号）：特開2005-259794
出願日： 2004年03月09日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：
【課題】ヒートシンクと冷却空気の温度差を大きくして、冷却性能を向上させることができ、結露による半導体素子の破壊の危険性がなく、基板のたわみによる信号の特性を劣化させることなく半導体素子の冷却が可能な半導体素子冷却用ヒートシンクを提供する。【解決手段】高速信号を処理する発熱素子101が搭載された実装基板102外の筐体103内に固定されたヒートシンク205と、ヒートシンク205の上に配置され、高温側がヒートシンク205に熱的に接続された少なくとも1つの熱電冷却素子204と、発熱素子101と吸熱部201が熱的に接続され、そして、熱電冷却素子204の低温側と放熱部203が熱的に接続された少なくとも1つのヒートパイプ202とを備え、ヒートシンク205の荷重による基板のたわみを防止して発熱密度の高い発熱素子101を冷却する、半導体素子冷却用ヒートシンク。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
発熱素子が搭載された実装基板外の筐体内に固定されたヒートシンクと、前記ヒートシンクの上に配置され、高温側が前記ヒートシンクに熱的に接続された少なくとも1つの熱電冷却素子と、前記発熱素子と吸熱部が熱的に接続され前記熱電冷却素子の低温側と放熱部が熱的に接続された少なくとも1つのヒートパイプとを備え、前記ヒートシンクの荷重による前記基板のたわみを防止して前記発熱素子を冷却する、半導体素子冷却用ヒートシンク。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F036AA01
, 5F036BA06
, 5F036BA33
, 5F036BB01
, 5F036BB05
, 5F036BB44
, 5F036BC33
, 5F036BC35
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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