特許

J-GLOBAL ID：200903069860447431

半導体レーザ

発明者： 萬濃 正也 ,  大仲 清司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-094239
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291686
出願日： 1992年04月14日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】 長寿命かつ発振波長の再現性に優れた高歩留まりの素子構造を有する横モード制御型の半導体レーザを提供する。【構成】 p-(Al0.6 Ga0.4 )0.5 In0.5 Pクラッド層42とアンドープGa0.5 In0.5 P活性層3との間に、クラッド層42より拡散係数の小さいアンドープGa0.5 In0.5 P層103とアンドープ(Al0.6 Ga0.4 )0.5In0.5 P層102からなる拡散抑止層を設けている。そのため、結晶成長中や加工中にp-(Al0.6 Ga0.4 )0.5 In0.5 Pクラッド層42から拡散した不純物のZnは、アンドープGa0.5 In0.5 P層103にほぼトラップされ、一部下部のアンドープ(Al0.6 Ga0.4 )0.5 In0.5 P層102に拡散するもののアンドープGa0.5 In0.5 P活性層3には到達しない。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に格子整合のとれた2つの(Al<SB>X </SB>Ga<SB>1-X </SB>)InPクラッド層の間に(Al<SB>Y </SB>Ga<SB>1-Y </SB>)InP活性層(0≦y<x≦1)を備えたダブルヘテロ構造を有する半導体レーザであって、少なくとも一方の(Al<SB>X </SB>Ga<SB>1-X </SB>)InPクラッド層と前記(Al<SB>Y </SB>Ga<SB>1-</SB><SB>Y </SB>)InP活性層との間に、アンドープあるいは低ドープAlGaInP層を設けたことを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-049691
  
• 特開平3-227089
  
• 特開平2-033990
  
• 特開平3-077391
  
• 特開平2-126692