半導体メモリ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-197708
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021400
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】本発明は、SOI基板に形成した半導体メモリ装置のアクセストランジスタをPMOSトランジスタで構成することにより、寄生バイポーラトランジスタの動作を抑えて、データ保持特性やソフトエラー耐性等の向上を図る。【構成】 SOI基板11のシリコン層をN形のシリコン層13で形成し、その上に電極(例えばゲート電極15)を形成し、ゲート電極15の両側のN形のシリコン層13にP形の拡散層領域16,17を形成してなる、電荷を蓄積してデータを記憶する半導体メモリ装置(例えばダイナミックRAMのメモリセル1)である。あるいは、N形のシリコン層(図示せず)にアクセストランジスタ(図示せず)のチャネル形成領域を形成するとともに、アクセストランジスタのソース・ドレイン拡散層領域をP形の拡散層領域(図示せず)で形成したスタティックRAMのメモリセルである。

請求項（抜粋）：

SOI基板のシリコン層上に形成した電極と、当該電極の両側の当該シリコン層に形成した拡散層領域の一方側とに電荷を蓄積するすることでデータを保持する半導体メモリ装置において、前記シリコン層をN形のシリコン層で形成するとともに、前記各拡散層領域をP形の拡散層領域で形成したことを特徴とする半導体メモリ装置。

IPC (3件)：

H01L 27/11 , H01L 27/108 , H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 27/10 381 , H01L 27/10 325 G

引用特許：

審査官引用 (42件)

特開昭62-165971
特開昭62-165971
特開平2-271663

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