特許

J-GLOBAL ID：200903069867886139

電界効果トランジスタ

発明者： 恩田 和彦 ,  葛原 正明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-004473
公開番号（公開出願番号）：特開平6-236898
出願日： 1993年01月14日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：

【要約】【構成】半絶縁性InP基板1にI型In0.52Al0.48Asバッファ層2、I型In1-x Gax Asy P1-y チャネル層3、In0.52Al0.48Asスペーサ層4、N型In0.52Al0.48As電子供給層5、I型In0.52Al0.48Asショットキー層6、N型In0.53Ga0.47Asキャップ層7が成長されている。さらにリセス領域のゲート電極10をはさんでソース電極8およびドレイン電極9が形成されている。I型InGaAsPチャネル層3はエネルギーギャップEg が表面側から基板側に向って0.9eVから1.1eVまで単調に増加するグレーディッド構造である。【効果】低電界ではInGaAsPチャネル層の電子がエネルギーギャップが小さい領域を走り、高電界ではホットになった電子がエネルギーギャップの大きい領域を走る。2次元電子ガスの電子濃度が向上し、高電界駆動したときの衝突イオン化による耐圧の劣化を低減した。

請求項（抜粋）：

半絶縁性InP基板の上に順次積層された、バッファ層、チャネル層およびN型電子供給層に形成された電界効果トランジスタにおいて、前記チャネル層が、In1-x Gax Asy P1-y 層からなり、その組成x,yが深さ方向に変化することを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭64-074764
  
• 特開平3-205834
  
• 特開昭57-160171
  
• 特表昭55-500196