特許

J-GLOBAL ID：200903069874887680

シリコンプロセスを利用したノズルプレートの製造方法及びそのノズルプレートを用いたインクジェットプリンタヘッド

発明者： 尹 相▲けおん▼ ,  朴 性俊
出願人/特許権者： 三星電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-339491
公開番号（公開出願番号）：特開2001-030500
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年02月06日
要約：

【要約】【課題】 ノズルプレートの端面がきれいで直径が均一であって、インク吐出の直進特性が改善され、工程が単純になり、生産コストが低減され、印刷性が優れるようにする。【解決手段】 シリコン基板を提供するステップと、シリコン基板の一面に酸化シリコン膜を形成するステップと、酸化シリコン膜をパターニングするステップと、酸化シリコン膜が形成されていない面を遮蔽して、シリコン基板を非等方性湿式エッチングするステップと、シリコン基板において、酸化シリコン膜が形成された面に硼素層を形成するステップと、硼素層が形成されたシリコン基板をエッチングするステップと、酸化シリコン膜をエッチングして酸化シリコン膜と酸化シリコン膜の上部に形成された硼素層を除去するステップとを含む。

請求項（抜粋）：

シリコン基板を提供するステップと、前記シリコン基板の一面に酸化シリコン膜を形成するステップと、前記酸化シリコン膜をパターニングするステップと、前記シリコン基板において酸化シリコン膜が形成されていない面を遮蔽し、シリコン基板を非等方性湿式エッチングするステップと、前記シリコン基板において、酸化シリコン膜が形成された面に硼素層を形成するステップと、前記硼素層が形成されたシリコン基板をエッチングするステップと、前記酸化シリコン膜をエッチングして前記酸化シリコン膜と前記酸化シリコン膜の上部に形成された硼素層を除去するステップとを含むことを特徴とする、シリコンプロセスを利用したノズルプレートの製造方法。

IPC (3件)：

B41J 2/135 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055

FI (2件)：

B41J 3/04 103 N ,  B41J 3/04 103 A

Fターム (18件)：

2C057AF43 ,  2C057AF70 ,  2C057AF77 ,  2C057AF93 ,  2C057AG04 ,  2C057AG12 ,  2C057AP02 ,  2C057AP13 ,  2C057AP24 ,  2C057AP34 ,  2C057AP51 ,  2C057AP52 ,  2C057AP53 ,  2C057AP56 ,  2C057AP59 ,  2C057AQ02 ,  2C057BA04 ,  2C057BA14