特許
J-GLOBAL ID：200903069875212333
化合物半導体の成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-358633
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182907
出願日： 1991年12月28日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【目的】 プレーナドーピングにより得られる飽和シートキャリア濃度を任意に制御することを可能とする。【構成】 アンドープInP層2をMOCVD法によりエピタキシャル成長させた後、ドーピングガスとしてのSi2 H6 とともにSi脱離作用を有するPH3 を供給してSiをプレーナドーピングし、アンドープInP層2の表面にSiプレーナドーピング層3を形成する。このドーピングの際のドーピング温度、Si2 H6 の供給流量及びPH3 の供給流量を制御することにより、飽和シートキャリア濃度を制御する。
請求項（抜粋）：
アンドープ III-V族化合物半導体層を気相成長させる工程と、上記気相成長を停止させた状態でドーピングガス及びV族元素の水素化物を供給してシートキャリア濃度がほぼ飽和シートキャリア濃度に達するまでドーピングする工程とを有し、上記ドーピングの際のドーピング温度、上記ドーピングガスの供給流量及び上記V族元素の水素化物の供給流量を制御することにより上記飽和シートキャリア濃度を制御するようにした化合物半導体の成長方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 21/22
