特許
J-GLOBAL ID：200903069882279265
光半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-147045
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343808
出願日： 1992年06月08日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】散乱損失の少ない導波路を有し、かつ、注入電流の漏れの少ない光半導体素子を製造することを可能とする。【構成】半導体の基板状に、ストライプ状の間隙を有する1対のストライブ状のマスクを形成する工程と、該半導体基板の露出した該間隙部に、活性層を含む半導体のリッジをエピタキシャル成長する工程と、該マスクを剥離する工程とを経た後、該リッジの上面をストライプ状マスクで覆う工程と、該ストライブ状マスクの両脇に半導体の電流ブロック層をエピタキシャル成長する工程とを用いる。
請求項（抜粋）：
半導体の基板上に、ストライプ状の間隙を有する1対のストライプ状のマスクを形成する工程と、該半導体基板の露出した該間隙部に、活性層を含む半導体層をエピタキシャル成長してリッジを形成する工程と、該マスクを剥離する工程と、該リッジの上面をストライプ状マスクで覆う工程と、該ストライプ状マスクの両脇に半導体の電流ブロック層をエピタキシャル成長する工程とを少なくとも有する光半導体素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01S 3/10
, H01L 33/00
