特許
J-GLOBAL ID：200903069885013290
両面スパッタ成膜方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-018414
公開番号（公開出願番号）：特開平5-295538
出願日： 1993年02月05日
公開日（公表日）： 1993年11月09日
要約：
【要約】【目的】本発明は基板の両面に薄膜をスパッタ成膜する装置に関し、特に基板とスパッタターゲットの距離を最適化してターゲットから放出されたスパッタ粒子の付着効率を向上とターゲットの利用効率を向上することにある。【構成】基板4に対し両面にカソード7を設置し、かつ基板4とカソード7のターゲット13との距離を基板直径の5分の1から2.5分の1にする。またカソード7の磁気回路を複数個の電磁石により構成する。【効果】ターゲットから放出されるスパッタ粒子の基板への付着確率の向上とターゲットの利用効率の向上と薄膜の膜厚均一性と膜質の向上がはかれ、薄膜製品の原価低減と品質向上が可能となる。
請求項（抜粋）：
基板の両面に薄膜を形成するマグネトロンスパッタ成膜方法であって、磁力線が前記基板の両面で対称に分布して前記基板の両側で互いに反撥し合い、かつ前記磁力線のうちの主たる磁力線が前記基板を横切らないような磁場を形成し、ターゲット上に発生したプラズマを前記磁場中に閉じ込めて前記ターゲットをスパッタすることを特徴とするスパッタ成膜方法。
IPC (3件)：
C23C 14/35
, G11B 5/85
, H01F 41/18
