特許
J-GLOBAL ID：200903069888226961
太陽電池の製造方法と薄膜半導体の製造方法、薄膜半導体の分離方法及び半導体形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-136205
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036609
出願日： 1999年05月17日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：
【要約】【課題】 安価で量産性があり、特性の良好な薄膜結晶太陽電池を得る簡便な工程による方法を提供する。【解決手段】 結晶シリコン基板を陽極化成して多孔質層を形成し、この多孔質層上にエピタキシャル成長法により薄膜結晶を成長させる。レーザービームにより成長結晶表面から多孔質層に至る開口部を設け、この開口部を通して多孔質層を選択エッチングして薄膜結晶を基板から分離する。分離した薄膜結晶を他の支持基板に転写して太陽電池を形成する。また基板を再生して繰り返し使用し、材料の有効化が図られ、安価な太陽電池が作製できる。
請求項（抜粋）：
シリコンウエハ上に成長させたエピタキシャル膜を用いた太陽電池の製造方法において、i)前記シリコンウエハの片側表面に陽極化成により多孔質層を形成する工程と、ii)前記多孔質層上にエピタキシャル成長法により半導体層を成長させる工程と、iii)前記半導体層の表面に半導体接合を形成する工程と、iv)前記半導体層中に前記半導体層表面から前記多孔質層に至るまで開口部を設ける工程と、v)前記開口部を通して前記多孔質層をエッチングにより除去して前記半導体層を前記シリコンウエハより分離する工程と、を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 31/04 X
, H01L 21/02 B
, H01L 31/04 A
