半導体ウエハ上への突起電極形成方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-010822
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221101
出願日： 1994年02月02日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】半導体集積回路装置の製造技術に関し、特にTAB方式におけるウエハ上の突起(バンプ)電極形成に適用して、その生産性、信頼性を向上させ、さらにコストを低減させる突起電極形成方法を提供する。【構成】半導体ウエハ上の半導体集積回路素子の最上部の配線層として、アルミニウム合金10と銅(又は、ニッケル)9の積層配線層を形成し、この積層配線層を形成するときに、複数の外部引出電極パッド部2それぞれから半導体ウエハのダイシング領域12上に延在する引出配線を同時に形成し、それらをダイシング領域12上で接続して共通通電部4とする。電気めっきによる突起電極8形成はこのダイシング領域12上の共通通電部4を用いて行ない、突起電極8形成後は上記共通通電部4をエッチング除去する。【効果】従来方法では不可欠であったバリアメタルが不要となるために材料費が低減され、工程数も減少する。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハ上に形成される電子回路素子の最上部配線を、銅またはニッケルあるいはそれらの合金が表面に出る構造に形成し、それと同時に突起電極を形成する部分からそれぞれウエハのダイシング領域に導通用の引出線を形成し、これらをダイシング領域上で接続し、電気めっき法で突起電極を形成する際の共通通電部とし、上記突起電極形成後、上記引出線をエッチング除去することを特徴とする半導体ウエハ上への突起電極形成方法。

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