特許

J-GLOBAL ID：200903069896975205

半導体装置及びその製造方法

発明者： 伊藤 仁
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-268271
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111770
出願日： 1997年10月01日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、半導体チップを回路配線基板にフリップチップ実装する際に、熱サイクル等に対する高い信頼性が得られる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 裏返しにした半導体チップ10のチップ電極12に隣接する絶縁層14と回路配線基板16の基板電極18との間に、直径80μmのAuボール22が挟着され、このAuボール22を介在させている半導体チップ10と回路配線基板16との間隔は60〜70μmとなっている。Auボール22下端は回路配線基板16の基板電極18に接着されていると共に、Auボール22に接続している径30μmφのAuワイヤ24は半導体チップ10のチップ電極12上に圧着されている。こうして、半導体チップ10が回路配線基板16にフリップチップ実装されている。

請求項（抜粋）：

半導体チップが回路配線基板にフリップチップ実装されている半導体装置であって、前記半導体チップのチップ電極に隣接する絶縁層と前記回路配線基板の基板電極との間に、所定の大きさの金属ボールが挟着されており、前記金属ボールの下端が、前記回路配線基板の前記基板電極に接着されていると共に、前記金属ボールから延びている金属ワイヤが、前記半導体チップの前記チップ電極上に圧着されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60

FI (4件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/60 301 A ,  H01L 21/92 602 R ,  H01L 21/92 604 J