特許
J-GLOBAL ID：200903069901196333
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-232954
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094651
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 エレクトロフォーミング法によって形成されたリードフレームの変形を効果的に防止し得る半導体装置の製造方法を提案する。【構成】 母型10上にエレクトロフォーミング法によって形成したリードフレーム12に、母型10からリードフレーム12を剥離することなく半導体チップ26の搭載し、次いで、搭載された半導体チップ26を含む樹脂封止部分を封止する封止樹脂層38を形成してリードフレーム12を補強した後、リードフレーム12を母型10から剥離することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
エレクトロフォーミング法によって形成されたリードフレームに半導体チップを搭載した後、前記半導体チップを含む樹脂封止部分を樹脂封止して半導体装置を製造する際に、該樹脂封止を施す樹脂封止金型を構成する型の一方に使用される母型上に、エレクトロフォーミング法によってリードフレームを形成した後、前記母型から剥離することなく母型上に形成された前記リードフレームに半導体チップを搭載し、次いで、前記樹脂封止金型を構成する他方の型と前記リードフレームが形成された母型とを当接し、前記他方の型と母型とによって形成された樹脂封止金型のキャビティ内に前記半導体チップを含む樹脂封止部分を挿入せしめ、その後、前記キャビティ内に封止樹脂を注入して形成された封止樹脂層によって補強されたリードフレームを、前記母型から剥離することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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