特許
J-GLOBAL ID：200903069918654629
薄膜トランジスタ型半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-273249
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090294
出願日： 1991年09月25日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】 水素雰囲気下での数回にわたる熱処理によっても、表面からの水素の流入を可能にし、ポリシリコンから成る半導体薄膜層を効率的に水素化し、しかも製造工程が増大しない薄膜トランジスタ型半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】 半導体薄膜層12の上層に形成してある表面平滑化膜14の上層側で、金属配線層18の下層側に、チャネル部12aの上層に位置するようなパターンで、水素を含有する窒化珪素膜16を成膜し、熱処理することにより上記半導体薄膜層12に対し水素を供給する。
請求項（抜粋）：
ポリシリコンから成る半導体薄膜層に、チャネル部を形成して成る薄膜トランジスタ型半導体装置を製造する方法において、上記半導体薄膜層の上層に形成してある表面平滑化膜の上層側で、金属配線層の下層側に、上記チャネル部の上層に位置するようなパターンで、水素を含有する窒化珪素膜を成膜し、熱処理することにより上記半導体薄膜層に対し水素を供給することを特徴とする薄膜トランジスタ型半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/324
