特許

J-GLOBAL ID：200903069922117239

III族窒化物系化合物半導体発光素子

発明者： 齋藤 義樹 ,  瀧 哲也
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-280052
公開番号（公開出願番号）：特開2007-095786
出願日： 2005年09月27日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：

【課題】III族窒化物系化合物半導体発光素子の静電耐圧を向上させること。【解決手段】スパッタリングによって形成したAlNバッファ層の上に、GaN層を2μm厚程形成すると、その表面は平均約0.9nm程の凹凸が生じる。GaN層にドナーをドープした場合は、この凹凸が余り改善されない。一方、GaN層にアクセプタをドープした場合は、凹凸が1/2程度に改善されることが見出された。この改善により、静電耐圧も向上する。【選択図】無し。

請求項（抜粋）：

サファイア基板と、その上に形成されたバッファ層と、ドナーをドープされたIII族窒化物系化合物半導体から成り、n電極が形成されたn型層とを有するIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、 前記バッファ層と前記n型層との間に、アクセプタをドープされたIII族窒化物系化合物半導体層を有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  C23C 14/06

FI (4件)：

H01L33/00 C ,  H01L21/203 S ,  H01L21/205 ,  C23C14/06 A

Fターム (28件)：

4K029AA07 ,  4K029BA58 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  5F041AA03 ,  5F041AA21 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA88 ,  5F045AA04 ,  5F045AA19 ,  5F045AB09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F103AA08 ,  5F103DD01 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103LL01 ,  5F103RR05