特許

J-GLOBAL ID：200903069923296803

自己整合性を有するトレンチMOSFETの構造及び形成方法

発明者： ヘリック,ロバート ,  ロゼー,ベッキー ,  プロブスト,ディーン
出願人/特許権者： フェアチャイルド セミコンダクター コーポレーション
代理人 (4件)： 藤本 昇 ,  薬丸 誠一 ,  中谷 寛昭 ,  岩田 徳哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-533042
公開番号（公開出願番号）：特表2007-500454
出願日： 2004年05月14日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：

本発明の実施態様によれば、半導体デバイスは、以下のように形成させられる。シリコンが除去されうるシリコン層の露出された表面領域を決める。前記シリコン層の一部分を除去して、該シリコン層の露出された表面領域からシリコン層に伸びるトレンチの中間領域を形成させる。シリコンが除去されうるシリコン層の付加的露出表面領域を決める。前記シリコン層の付加的部分を除去して、トレンチの外部領域がシリコン層の付加的露出表面領域からシリコン層に伸びるように、トレンチの外部領域を形成させる。トレンチの中間領域は、トレンチの外部領域よりも深くシリコン層に伸びる。

請求項（抜粋）：

シリコンが除去されうるシリコン層の露出表面領域を決める工程、 前記シリコン層の部分を除去して、前記シリコン層の露出表面領域から前記シリコン層に伸びるトレンチの中間区域を形成させる工程、 シリコンが除去されうる前記シリコン層の付加的露出表面を決める工程、及び 前記シリコン層の付加的部分を除去して、前記トレンチの外部区域を形成させる工程、 を含み、前記トレンチの外部区域が前記シリコン層の付加的露出表面から前記シリコン層に伸び、前記トレンチの中間区域が、前記トレンチの外部区域よりも深く前記シリコン層に伸びるものである、半導体デバイスの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

H01L29/78 653C ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 658D ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 658Z ,  H01L29/78 652D

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭63-181330