特許

J-GLOBAL ID：200903069924764703

半導体膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、アクティブマトリクス基板

発明者： 阿部 裕幸
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-146394
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340503
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 大粒径を有し、結晶性の高いかつ表面荒れの少ない高品質半導体膜の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 多結晶シリコン膜を得るためのエネルギー光照射を2回とし、その1回目は半導体膜表面の酸化膜除去処理なしで真空中にて行う、または大気中あるいは何らかのガスを充填した真空を除く雰囲気にて行う。2回目の照射の前には半導体膜の表面処理を行い酸化膜除去をした後、照射を真空中にて行う。また2回目のエネルギー光照射の強度が、1度目のエネルギー光の照射強度を越さないようにする。

請求項（抜粋）：

基板上に半導体膜を形成する成膜工程と、前記半導体膜に対してエネルギー光を照射して結晶性半導体膜を得る半導体膜の製造方法において、前記半導体膜に第1エネルギー光の照射を行う工程と、前記第1エネルギー光の照射を行う工程の後に、前記半導体膜の表面処理を施す工程と、前記表面処理を施す工程の後に、前記半導体膜に第2エネルギー光の照射を行う工程を有することを特徴とする半導体膜の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (61件)：

2H092JA24 ,  2H092JA34 ,  2H092KA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA09 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092NA24 ,  2H092NA27 ,  5C094AA21 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094DB04 ,  5C094EB02 ,  5C094FB03 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5C094JA09 ,  5F052AA02 ,  5F052BA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052CA07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052EA11 ,  5F052EA15 ,  5F052FA19 ,  5F052HA01 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD24 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP29 ,  5F110PP31 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11