特許

J-GLOBAL ID：200903069929454281

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者： 藤井 栄美 ,  松下 重治
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-077605
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277533
出願日： 1999年03月23日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】 この発明は、容易なプロセスでソース抵抗などの低抵抗化及びゲート耐圧の高耐圧化が図れる化合物半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 GaAs基板1上にSiOx膜5を形成する工程と、SiOx膜5上にゲート電極接触部から離間する方向で膜厚が順次増加する膜厚分布を有してAs原子の外部拡散を防止するSiN膜8を形成する工程と、熱処理を行いGaAs基板1に前記SiOx膜内のシリコンを拡散させ前記基板1内に高濃度不純物層9s、9d及びゲート電極側から高濃度不純物層側にシート抵抗値が連続して変化するドーピング層9aを形成する工程と、を有する。

請求項（抜粋）：

III-V族化合物半導体からなる動作層上に設けられたゲート電極と、前記動作層内に設けられた高濃度不純物層と、を備え、前記ゲート電極端と前記高濃度不純物層との間をゲート電極側から高濃度不純物層側にシート抵抗値が連続して変化するドーピング層が設けられていることを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

Fターム (19件)：

5F102FA01 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ06 ,  5F102GK05 ,  5F102GL05 ,  5F102GS04 ,  5F102GT03 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HA04 ,  5F102HC00 ,  5F102HC07 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21