特許

J-GLOBAL ID：200903069930999631

半導体製造装置

発明者： 塚本 俊之 ,  前田 祐二 ,  川居 一郎
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-307139
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127001
出願日： 1999年10月28日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】 処理チャンバ内部に拡散された金属成分に起因するウェハの金属汚染の発生が抑制される半導体製造装置を提供する。【解決手段】 熱処理装置1の処理チャンバ2内にあるステンレススチール製のベアリングカバー4a上面の金属面上に、有気泡性石英からなるリング板状の被覆部材20を設置する。このとき、熱処理実行時におけるベアリングカバー4a上面からの金属成分の拡散が低減されるので、被処理基板であるウェハWに対する金属汚染の発生が抑制される。

請求項（抜粋）：

処理チャンバと、前記処理チャンバ内に設置され被処理基板を支持する基板支持部材と、前記基板支持部材に支持された前記被処理基板を加熱する加熱手段とを備える半導体製造装置であって、前記処理チャンバの内側の金属面上、及び前記処理チャンバ内に設置された部材の金属面上の少なくともいずれか一方の所定部位に、被覆部材が設けられている半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/26 ,  F27D 1/00 ,  H01L 21/324

FI (3件)：

F27D 1/00 D ,  H01L 21/324 Q ,  H01L 21/26 G

Fターム (4件)：

4K051AA03 ,  4K051AA04 ,  4K051BB01 ,  4K051BB07