特許

J-GLOBAL ID：200903069931157677

欠陥検査方法および装置

発明者： 井古田 まさみ ,  石川 勝彦 ,  野副 真理 ,  山口 泰紀 ,  荒川 亘
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-160250
公開番号（公開出願番号）：特開平9-015161
出願日： 1995年06月27日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】半導体ウエハ上に形成されたパターンの欠陥を高精度で検出する。【構成】 シミュレーション処理部5によって該マスクデータを実際に半導体ウエハ6上に形成されるパターンの形状と同様にシミュレーション処理を行い、シミュレーションデータを生成する。そのシミュレーションデータと被検査パターンデータとを比較し、不一致部を検出して確実に欠陥だけを検出する。

請求項（抜粋）：

設計パターンデータを製造プロセスデータに基づいて実際に形成されるプロセス形状にシミュレート処理を行ってシミュレートデータを生成し、前記シミュレートデータと被検査パターンデータとを比較し、前記シミュレートデータと前記被検査パターンデータとの不一致部分を検出することを特徴とする欠陥検査方法。

IPC (3件)：

G01N 21/88 ,  G01R 31/28 ,  H01L 21/66

FI (4件)：

G01N 21/88 E ,  H01L 21/66 J ,  G01R 31/28 D ,  G01R 31/28 F