特許
J-GLOBAL ID：200903069933960779

薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッド組立体、記憶装置、及び薄膜磁気ヘッドの製造方法

発明者：
照沼 幸一

照沼 幸一 について

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田中 浩介

田中 浩介 について

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土屋 芳弘

土屋 芳弘 について


出願人/特許権者：
TDK株式会社

TDK株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  阿部 豊隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-377637
公開番号（公開出願番号）：特開2004-206839
出願日： 2002年12月26日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：
【課題】フリー層の磁化回転を良好に実現しつつバイアス磁界を有効に働かせ、更に分流も抑制できる薄膜磁気ヘッドを提供すること。【解決手段】この薄膜磁気ヘッドMHは、MR素子7と、一対の電極層15と、MR素子7と接して配置される層構造体9とを備え、MR素子7は、磁化方向が固定されるピンド層23と、ピンド層23とフリー層27との間に配置される非磁性層25と、非磁性層25との間でピンド層23を挟むように配置され、ピンド層23の磁化方向を固定する反強磁性層21とを含み、層構造体9は、フリー層27にバイアス磁界を印加して磁区制御するためのバイアス層33と、フリー層27とバイアス層33との間に配置される高抵抗であって非磁性の分離層31とを含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
外部磁界に応じて磁化の向きが変化するフリー層を含む磁気抵抗効果素子と、前記フリー層の層厚方向と交わる方向に互いに離間して配置されて前記磁気抵抗効果素子に電流を供給するための一対の電極層と、前記電流が流れる方向に沿って前記磁気抵抗効果素子と接して配置される層構造体と、を備えた薄膜磁気ヘッドであって、 前記磁気抵抗効果素子は、 磁化方向が固定される強磁性層と、 前記強磁性層と前記フリー層との間に配置される非磁性層と、 前記非磁性層との間で前記強磁性層を挟むように配置され、前記強磁性層の磁化方向を固定する反強磁性層と、を含み、 前記層構造体は、 前記フリー層にバイアス磁界を印加して磁区制御するためのバイアス層と、 前記フリー層と前記バイアス層との間に配置される高抵抗であって非磁性の分離層と、 を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
IPC (3件)：
G11B5/39 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12
FI (4件)：
G11B5/39 ,  H01L43/08 B ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12
Fターム (5件)：
5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BA08 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08
引用特許：
審査官引用 (4件)
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