特許

J-GLOBAL ID：200903069936077434

炭化ケイ素系多孔体及び同多孔体とアルミニウムの複合材料

発明者： 河合 千尋
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 山本 正緒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-369086
公開番号（公開出願番号）：特開2001-181066
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月03日
要約：

【要約】【課題】 フィルターとして好適な高強度で高熱伝導率のSiC多孔体を提供し、このSiC多孔体をAl又はAl合金と複合させ、半導体装置用ヒートシンクとして好適な高い熱伝導率を有するAl-SiC系複合材料を提供する。【解決手段】 Si粉末とC粉末を焼結して、六角板状のα型SiC粒子が焼結ネッキングした三次元骨格組織を持ち、気孔率が30〜60%、平均細孔径が10〜200μm、3点曲げ強度が30MPa以上、20°Cでの熱伝導率が10W/m・K以上のSiC多孔体とする。このSiC多孔体中にAl又はAl合金を溶浸させたAl-SiC系複合材料は、SiCが全体の40〜70体積%、20°Cでの熱伝導率が200W/m・K以上で、熱膨張係数が小さい。

請求項（抜粋）：

六角板状のα型SiC粒子が焼結ネッキングした三次元骨格組織を持つSiC多孔体であって、気孔率が30〜60%、平均細孔径が10〜200μm、JIS準拠の3点曲げ強度が30MPa以上、20°Cでの熱伝導率が10W/m・K以上であることを特徴とするSiC多孔体。

IPC (5件)：

C04B 38/00 303 ,  B01D 39/20 ,  C04B 35/573 ,  C04B 41/88 ,  H01L 23/36

FI (5件)：

C04B 38/00 303 Z ,  B01D 39/20 Z ,  C04B 41/88 U ,  C04B 35/56 101 U ,  H01L 23/36

Fターム (27件)：

4D019AA01 ,  4D019AA03 ,  4D019BA01 ,  4D019BA02 ,  4D019BB06 ,  4D019BB07 ,  4D019BC12 ,  4D019BD01 ,  4D019CA03 ,  4D019CB06 ,  4G001BA60 ,  4G001BA62 ,  4G001BB22 ,  4G001BC47 ,  4G001BC52 ,  4G001BC54 ,  4G001BC77 ,  4G001BD03 ,  4G001BD05 ,  4G001BE31 ,  4G001BE33 ,  4G019FA11 ,  4G019FA13 ,  5F036AA01 ,  5F036BB01 ,  5F036BD03 ,  5F036BD14