半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-086986
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302616
出願日： 1993年04月14日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：

【要約】【目的】素子領域と結晶粒界の位置を自己整合的に決定し、素子の駆動力を大幅に下げる原因となる結晶粒界をチャネル領域中から排除することの出来る半導体装置の製造方法を提供する。【構成】スタガ型半導体素子の上面にチャネルとなる多結晶シリコン薄膜105を形成したのち、斜め方向からSi等をイオン注入することにより、注入時に影となるゲート電極の肩部以外の部分をアモルファス化し、この肩部を結晶成長の結晶核107として固相結晶成長を行なうように構成したことにより、素子領域と結晶粒界の位置を自己整合的に決定し、結晶粒界がチャネル領域116中に生じないようにした半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

絶縁基板または絶縁膜の形成された半導体基板上に、ゲート電極となる導電性の薄膜を形成する工程と、上記薄膜表面にゲート酸化膜となる絶縁膜を形成する工程と、上記絶縁膜の上面に多結晶半導体薄膜を形成する工程と、上記多結晶半導体薄膜をアモルファス化する元素を、上記多結晶半導体薄膜の上面に対して斜方向からイオン注入し、上記ゲート電極の影となる一部の領域を除いて上記多結晶半導体薄膜をアモルファス化する工程と、固相結晶成長する程度の温度で熱処理することにより、上記ゲート電極の影となった部分の多結晶半導体薄膜を結晶核として固相成長を行なう工程と、を少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 21/20 , H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 29/78 311 Y , H01L 21/265 V , H01L 21/265 Q

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