特許

J-GLOBAL ID：200903069943251830

抵抗性フィ-ルドプレ-トを備えた半導体装置

発明者： 鈴木 徹
出願人/特許権者： サンケン電気株式会社
代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-289156
公開番号（公開出願番号）：特開平8-130317
出願日： 1994年10月28日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：

【要約】【目的】 抵抗性フィールドプレートを有するダイオードの耐圧向上を図る。【構成】 抵抗性フィールドプレート10の下の絶縁膜6の領域6bの厚さを導電性フィールドプレート8の下の領域6aの厚さよりも薄くする。これにより、抵抗性フィールドプレート10のフィールドプレート作用が強くなり、ダイオードが逆バイアスされた時に降伏しにくいように空乏層が形成される。

請求項（抜粋）：

実質的に平坦な表面を有すると共に第1及び第2の半導体領域を含み、前記第1の半導体領域は前記表面に露出する部分を有すると共に第1の導電型を有し、前記第2の半導体領域は前記表面に露出する部分を有するように前記第1の半導体領域の中に島状に配置されていると共に前記第1の導電型と反対の第2の導電型を有している半導体基体と、前記第2の半導体領域に直接又は間接に接続された第1の電極と、前記第1の半導体領域に直接又は間接に接続された第2の電極と、前記第1の電極を囲むように前記半導体基体の表面上に形成された絶縁膜と、前記第2の半導体領域を囲む前記第1の半導体領域の表面に対向するように前記絶縁膜上に配置され、且つ前記第1の電極に接続された導電性フィールドプレートと、前記導電性フィールドプレートを囲むように前記絶縁膜上に配置され、且つその内周端部分が前記導電性フィールドプレートに接続され、その外周端部分が前記第1の半導体領域に接続され、且つ前記導電性フィールドプレートよりも大きなシート抵抗値を有している抵抗性フィールドプレートとを備えた半導体装置において、前記絶縁膜の前記抵抗性フィールドプレートの下の領域の少なくとも一部の厚さが前記絶縁膜の前記導電性フィールドプレートの下の領域の厚さよりも薄いことを特徴とする抵抗性フィールドプレートを備えた半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-209161
  
• 特開昭57-102069
  
• 特開昭62-046561