特許

J-GLOBAL ID：200903069949561122

エッチング方法及び装置

発明者： 島宗 正幸 ,  林 専一 ,  榎本 隆 ,  村田 辰雄
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 近島 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-092088
公開番号（公開出願番号）：特開平6-280052
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月04日
要約：

【要約】【目的】ガラス基板の上に形成されたレジストパターンの残渣(残りかす)を除去し、所定形状のレジストパターンを得ると共に、液晶装置に使用した場合におけるショート(短絡)の問題を解消する。【構成】ガラス基板Gの上に金属薄膜を形成し、さらにその上にレジスト膜を形成する。そして、フォトリソグラフィによってレジストパターンを形成した後に、0.5J/cm2 〜20J/cm2 の紫外線を紫外線照射室1内で照射する。したがって、レジストパターンが所望形状でなく残渣が残っている場合でも、該残渣は紫外線により除去される。次に、エッチング室2にて金属薄膜のエッチングを行い、所定形状の電極を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に薄膜を形成し、該薄膜上に所望形状のレジストパターンを形成し、さらに該薄膜をエッチングして所望形状にするエッチング方法において、前記レジストパターンを形成した後であって前記薄膜をエッチングする前に、0.5J/cm2 〜20J/cm2 の紫外線を前記レジストパターンに照射する、ことを特徴とするエッチング方法。

IPC (3件)：

C23F 1/00 102 ,  G02F 1/1343 ,  G03F 7/40 501