特許

J-GLOBAL ID：200903069949669110

半導体製造装置

発明者： 保坂 英二 ,  吉田 久志
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 石戸 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-149713
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017752
出願日： 1994年06月30日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 スループットを向上し、ウェーハの破断,反り等を低減しデバイス特性を向上すると共に平均故障間隔を向上する。【構成】 反応炉下に、炉下へ搬出されたウェーハ1温度を計測して所定温度時にウェーハ搬送機構の作動に供する温度センサ7を設置することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

反応炉下に、炉下へ搬出されたウェーハ温度を計測して所定温度時にウェーハ搬送機構の作動に供する温度センサを設置することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/22 511 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/324