特許

J-GLOBAL ID：200903069951771711

半導体装置の電気的特性評価回路

発明者： 岡田 哲哉
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-229580
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058614
出願日： 1998年08月14日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 多数、多種類のTEG(テスト素子群)について、そのTEG面積の大幅な縮小を実現できる半導体装置の電気的特性評価回路を提供すること。【解決手段】 複数のTEG(テスト素子群)を垂直に積層し、これらTEGとTEG間で共有した一対の電極パッドの一方との間に、光電変換素子を接続している。これにより、TEG面積の大幅な縮小が実現できると共に測定対象のTEGを電気的に切り替えて、個別ごとのTEGについて電気的特性を測定することができる。

請求項（抜粋）：

複数のテスト素子群を一対の電極パッドを共有して電気的特性の測定をする半導体装置の電気的特性評価回路において、前記テスト素子群を上下に相重ねて、前記一対の電極パッドの一方との間に、それぞれ光電変換素子を接続し、前記光電変換素子に順次光を当てて抵抗を小として、それぞれの前記テスト素子群の電気的特性の測定をするようにしたことを特徴とする半導体装置の電気的特性評価回路。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/28 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L 21/66 Y ,  G01R 31/28 U ,  H01L 31/10 Z

Fターム (36件)：

2G032AB01 ,  2G032AC03 ,  2G032AD01 ,  2G032AE06 ,  2G032AE07 ,  2G032AE08 ,  2G032AE12 ,  2G032AG09 ,  2G032AK11 ,  2G032AK15 ,  2G032AL05 ,  2G032AL11 ,  4M106AA07 ,  4M106AB09 ,  4M106AB15 ,  4M106AB16 ,  4M106AB17 ,  4M106AC08 ,  4M106AD01 ,  4M106BA04 ,  4M106BA14 ,  4M106CA04 ,  4M106CA10 ,  4M106CA11 ,  4M106CA14 ,  4M106CA29 ,  4M106CA39 ,  4M106CA56 ,  4M106CA70 ,  4M106CB30 ,  4M106DJ14 ,  5F049MA11 ,  5F049MB02 ,  5F049NB10 ,  5F049SS03 ,  9A001BB05