薄膜トランジスタ装置及びその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：横山淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-235283
公開番号（公開出願番号）：特開2003-045892
出願日： 2001年08月02日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：

【要約】【課題】低電圧駆動用TFT及び高電圧駆動用TFTがいずれも良好な特性を有する薄膜トランジスタ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】液晶表示装置の場合、低電圧(3.3V又は5V)で駆動するTFTのゲート絶縁膜を1層の絶縁膜113で構成し、例えば30nmの厚さとする。このTFTは、LDD領域(低濃度不純物領域)を有しない構造とする。高電圧(18V)で駆動するCMOSのTFTは、ゲート絶縁膜を2層の絶縁膜113,118で構成し、例えば130nmの厚さとする。n型TFTでは、ドレイン側に低濃度不純物領域120を設け、p型TFTではLDDを有しない構造とする。画素TFTのゲート絶縁膜も2層の絶縁膜113,118で構成し、ソース・ドレインの双方にLDD領域を設ける。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された第1、第2及び第3の半導体膜と、第1及び第2の絶縁膜と、第1、第2及び第3のゲート電極とにより構成される第1,第2及び第3の薄膜トランジスタを有し、前記第1の薄膜トランジスタ形成領域では、前記第1の半導体膜の上に前記第1の絶縁膜が形成され、前記第1の絶縁膜の上に前記第1のゲート電極が形成され、前記第1の絶縁膜及び前記第1のゲート電極の上に前記第2の絶縁膜が形成され、前記第1の半導体膜にはチャネル領域側の先端が前記第1のゲート電極のエッジの下方に位置する一対の高濃度不純物領域が形成されて前記第1の薄膜トランジスタを構成し、前記第2の薄膜トランジスタ形成領域では、前記第2の半導体膜の上に前記第1及び第2の絶縁膜が積層され、前記第2の絶縁膜の上に前記第2のゲート電極が形成され、前記第2の半導体膜には、上から見たときに少なくとも一方のチャネル領域側先端部分が前記第2のゲート電極のエッジ部分に重なる一対の高濃度不純物領域が形成されて前記第2の薄膜トランジスタを構成し、前記第3の薄膜トランジスタ形成領域では、前記第3の半導体膜の上に前記第1及び第2の絶縁膜が積層され、前記第2の絶縁膜の上に前記第3のゲート電極が形成され、前記第3の半導体膜には一対の高濃度不純物領域と、該高濃度不純物領域とチャネル領域との間に配置され、チャネル領域側の先端が前記第3のゲート電極のエッジの下方に位置する一対の低濃度不純物領域が形成されて前記第3の薄膜トランジスタを構成することを特徴とする薄膜トランジスタ装置。

IPC (9件)：

H01L 21/336 , G02F 1/1368 , G09F 9/00 338 , G09F 9/00 342 , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 348 , G09F 9/35 , H01L 27/08 331 , H01L 29/786

FI (10件)：

G02F 1/1368 , G09F 9/00 338 , G09F 9/00 342 Z , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 348 A , G09F 9/35 , H01L 27/08 331 E , H01L 29/78 617 S , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 616 A

Fターム (80件)：

2H092JA24 , 2H092JA28 , 2H092MA18 , 2H092MA27 , 2H092NA21 , 5C094AA13 , 5C094AA23 , 5C094AA25 , 5C094AA31 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA15 , 5C094EA04 , 5C094EA07 , 5C094FB15 , 5F048AB10 , 5F048AC04 , 5F048BA16 , 5F048BB11 , 5F048BC06 , 5F048BG07 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF30 , 5F110FF35 , 5F110FF36 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL11 , 5F110HL12 , 5F110HM12 , 5F110HM14 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110NN78 , 5F110PP03 , 5F110PP10 , 5F110PP29 , 5F110PP35 , 5F110QQ11 , 5F110QQ23 , 5F110QQ24 , 5G435AA14 , 5G435AA16 , 5G435BB12 , 5G435CC09 , 5G435HH14 , 5G435KK05 , 5G435KK09 , 5G435KK10

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