特許

J-GLOBAL ID：200903069956287923

太陽電池の製造方法

発明者： 山西 勤 ,  津毛 定司
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 藤田 龍太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-352383
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183379
出願日： 1998年12月11日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 結晶系半導体を用いた光電変換効率の高いpn接合型の太陽電池を、製造工程を少なくして安価に製造し得るようにする。【解決手段】 結晶系半導体(半導体基板1)の非電極部分の表面に不純物を含有した拡散膜11を形成し、この膜11の形成後に不純物を含む拡散ガスの雰囲気中で半導体に熱拡散を施し、非電極部分に膜11からの不純物の拡散膜に基づく低濃度ドープ層(n+層2a)を形成すると共に、電極部分に拡散ガスからの不純物の拡散に基づく高濃度ドープ層(n++層2b)を形成する。

請求項（抜粋）：

結晶系半導体の表面側において、電極部分に非電極部分より高濃度に不純物を拡散してpn接合を形成する太陽電池の製造方法において、前記非電極部分の表面に前記不純物を含有した拡散膜を形成し、前記拡散膜の形成後に前記不純物を含む拡散ガスの雰囲気中で前記半導体に熱拡散を施し、前記非電極部分に前記拡散膜からの前記不純物の拡散に基づく低濃度ドープ層を形成すると共に、前記電極部分に前記拡散ガスからの前記不純物の拡散に基づく高濃度ドープ層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/225

FI (3件)：

H01L 31/04 A ,  H01L 21/22 T ,  H01L 21/225 R

Fターム (9件)：

5F051AA02 ,  5F051AA16 ,  5F051CB20 ,  5F051CB27 ,  5F051CB30 ,  5F051DA03 ,  5F051FA06 ,  5F051GA04 ,  5F051GA15