周辺露光装置および周辺露光方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-084937
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283396
出願日： 1996年04月08日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】被処理基板のフォトレジストのパターニング時にパターンくずれ現象を起こすことなく、被処理基板の周縁部表裏のフォトレジストを完全に露光することができる周辺露光装置および周辺露光方法を提供する。【解決手段】周辺露光装置3の周辺露光部50が露光光源51、照明調整器52、平行光とする光学系53、シャッター54、スリット板55および集光ミラー56により構成された周辺露光装置50により、被処理基板の周縁部表裏のフォトレジストを露光する。【効果】半導体ウェハ周縁部のフォトレジスト起因のダスト発生低減ができて、半導体装置の製造歩留向上が可能となる。

請求項（抜粋）：

フォトレジストを塗布した被処理基板の周縁部に光を照射し、前記被処理基板の周縁部の前記フォトレジストを露光する周辺露光部を有する周辺露光装置において、前記被処理基板周縁部の前記フォトレジストを露光するための露光光源と、前記露光光源の光を平行光とする光学系と、前記平行光を遮断するシャッターと、前記平行光の通過領域を制限するスリット板と、前記被処理基板の周縁部外側を通る前記スリット板を通った前記平行光を反射させ、前記フォトレジストを塗布した前記被処理基板面の裏側に回り込んで塗布されたフォトレジスト領域を露光する集光ミラーとを具備した周辺露光部を有する周辺露光装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 577 , G03F 7/20 521

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