特許
J-GLOBAL ID：200903069960234036
MOS型半導体集積回路装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-257337
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102842
出願日： 1991年10月04日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】置換回路を用いての置換動作をするための手法及び置換動作の確認を容易にした。【構成】他のトランジスタのジャンクション耐圧やゲート酸化膜圧より低いジャンクション耐圧を持つ低耐圧トランジスタQ4とこの低耐圧トランジスタQ4のゲート入力となる定電圧回路3と前記低耐圧トランジスタのドレイン側に接続する外部パッド1からの信号線を有する置換回路を設ける。置換動作を行うには、外部パッド1に電圧を与え、低耐圧トランジスタQ4のジャンクションを破壊し、拡散抵抗によって決まる抵抗にすることで、ドレイン側の電位を変え、置換動作を行う。
請求項（抜粋）：
第1,第2のトランジスタを直列接続し、その共通接続点を外部パッドからの信号線に接続し、前記第2のトランジスタのゲートに定電圧回路の出力を接続し、前記第2のトランジスタのジャンクション耐圧を前記第1のトランジスタよりも低く設定した置換回路を備えたことを特徴とするMOS半導体集積回路装置。
IPC (3件)：
H03K 19/173 101
, H01L 21/82
, H01L 27/04
