特許
J-GLOBAL ID:200903069966244831
電荷増倍型固体電子撮像装置およびその制御方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
牛久 健司 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-202947
公開番号(公開出願番号):特開2003-018467
出願日: 2001年07月04日
公開日(公表日): 2003年01月17日
要約:
【要約】【目的】 電荷増倍型のCCDにおいて暗電流を抑える。【構成】 フォトダイオード2に蓄積された信号電荷は,垂直転送路3にシフトされ,行方向に転送される。偶数行のフォトダイオード2に蓄積された信号電荷は,第1の水平転送路4に与えられ水平方向に転送される。奇数行のフォトダイオード2に蓄積された信号電荷は,第2の水平転送路5に与えられ,水平方向に転送される。2本の水平転送路4および5を用いて信号電荷を転送するので,転送時間が短くなり,暗電流を抑えることができる。
請求項(抜粋):
入射光量に応じて信号電荷を蓄積する多数の光電変換素子が設けられ,かつ複数の領域に分けられた受光領域,上記光電変換素子に蓄積された信号電荷を,上記複数に分けられた領域ごとに読み出す読み出し手段,および上記読み出し手段に対応して設けられ,上記読み出し手段から読み出された信号電荷を領域ごとにそれぞれ増倍しながら転送する電荷増倍段,を備えた電荷増倍型固体電子撮像装置。
IPC (3件):
H04N 5/335
, A61B 1/04 370
, H01L 27/148
FI (3件):
H04N 5/335 F
, A61B 1/04 370
, H01L 27/14 B
Fターム (26件):
4C061CC06
, 4C061JJ06
, 4C061JJ15
, 4C061LL01
, 4C061PP01
, 4C061QQ04
, 4C061SS04
, 4C061SS07
, 4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118AB10
, 4M118BA13
, 4M118CA02
, 4M118DD04
, 4M118DD20
, 4M118FA06
, 4M118FA44
, 4M118GA10
, 4M118GC14
, 5C024AX16
, 5C024BX02
, 5C024CX32
, 5C024GX03
, 5C024GY03
, 5C024GY15
, 5C024GZ42
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