特許
J-GLOBAL ID：200903069972157665

半導体デバイスの製造方法およびその装置

発明者：
小川 康一

小川 康一 について


出願人/特許権者：
カシオ計算機株式会社

カシオ計算機株式会社 について


代理人 (1件)： 花輪 義男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-147612
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332531
出願日： 2000年05月19日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：
【要約】【課題】 ECRプラズマアッシング装置において、反応容器のマイクロ波透過部の反応ガスによるエッチングにより発生するダストが半導体デバイス上に落下して付着しないようにする。【解決手段】 反応容器11の下部中央部には石英ガラス板からなるマイクロ波透過部12が設けられている。反応容器11内のほぼ中央部には孔付金属板14が設けられている。孔付金属板14の孔が設けられていない中央部上には半導体デバイス15が配置されている。半導体デバイス15は、基板上にフォトレジストが設けられたものからなっている。そして、酸素と四フッ化炭素との混合ガスをガス導入部13から孔付金属板14下における反応容器11内に導入し、マイクロ波を照射し、半導体デバイス15のフォトレジストをアッシングする。
請求項（抜粋）：
下部中央部にマイクロ波透過部を有する反応容器内に設けられた孔付金属板上に半導体デバイスを配置し、前記反応容器内に反応ガスを導入し、前記マイクロ波透過部下からマイクロ波を照射して前記反応容器内にプラズマを生成し、前記半導体デバイスに対して所定の処理を行うことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F 7/42 ,  H01L 21/302 B ,  H01L 21/30 572 A
Fターム (13件)：
2H096AA25 ,  2H096LA07 ,  2H096LA08 ,  5F004AA16 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB14 ,  5F004BC02 ,  5F004BD01 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26 ,  5F046MA12
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • マイクロ波CVD装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-272804   出願人：株式会社島津製作所
  • 試料後処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-087864   出願人：株式会社日立製作所
審査官引用 (2件)
  • マイクロ波CVD装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-272804   出願人：株式会社島津製作所
  • 試料後処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-087864   出願人：株式会社日立製作所

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