特許
J-GLOBAL ID：200903069972300859
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-295197
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124248
出願日： 1998年10月16日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：
【要約】【課題】 FCB法によりその半導体装置を回路基板等の外部基板と接続するためのバンプ電極が小さくなっても接合強度を維持し又は向上させることができ、またたとえ加圧によりバンプ電極が潰れた場合でもバンプ電極と電極パッドとの接触を防止する。【解決手段】 電極パッド11の上にバリア膜12を含む第1の導電膜101を形成する工程と、第1の導電膜101上に開口部15を有するバンプ電極形成用膜14を形成する工程と、開口部15内の下部に第2の導電膜16を埋め込む工程と、第2の導電膜16上面からその上方にかけて開口幅が広くなるように開口部15の形状を変える工程と、開口部15a内の第2の導電膜16上にメッキにより第3の導電膜17を埋め込み、第2の導電膜16及び第3の導電膜17からなる下部よりも上部の方の幅が広くなっているバンプ電極51を形成する工程とを有する。
請求項（抜粋）：
電極パッドの上にバリア膜を含む第1の導電膜を形成する工程と、前記第1の導電膜上にバンプ電極形成用膜を形成する工程と、前記バンプ電極形成用膜に開口部を形成する工程と、前記開口部内の下部に第2の導電膜を埋め込む工程と、少なくとも前記第2の導電膜上面からその上方にかけて開口幅が広くなるように前記開口部の形状を変える工程と、前記変形させた開口部内であって少なくとも前記第2の導電膜上にメッキにより第3の導電膜を埋め込み、前記第2の導電膜及び前記第3の導電膜からなる下部よりも上部の方の幅が広くなっているバンプ電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (3件)：
H01L 21/92 604 B
, H01L 21/92 602 D
, H01L 21/92 604 S
