特許

J-GLOBAL ID：200903069977451723

磁気デバイス

発明者： 田 透
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-263394
公開番号（公開出願番号）：特開2002-074936
出願日： 2000年08月31日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 CPP型巨大磁気抵抗デバイス、特に固体磁気メモリーにおける有効な書き込み配線を提供することを目的とする。各磁性体を均一に、少ない電流量で書き込むこと、セルの選択性を改善することを目的とする。【解決手段】 基板上に細孔層があり、且つ該細孔層の上下に配線を有する磁気デバイスにおいて、該細孔中の一部もしくはすべてに磁性層と非磁性層が積層され、細孔の一部を隣接する積層磁性体への書き込み線とする。特に細孔層として陽極酸化アルミナ層を用いること、セル選択性を高める遮断細孔を設けることが有効である。積層磁性体にはCo/Cu組成が、書き込み配線にはCuが有効であり、細孔はハニカム配列、長方配列が好ましい。

請求項（抜粋）：

基板上に細孔層があり、且つ該細孔層の上下に配線を有する磁気デバイスにおいて、該細孔中の一部もしくはすべてに磁性層と非磁性層が積層されており、且つ該細孔の一部を隣接する細孔中の積層磁性体への書き込み線とすることを特徴とする磁気デバイス。

IPC (7件)：

G11C 11/15 ,  G01R 33/09 ,  G11C 11/14 ,  H01F 10/00 ,  H01F 10/06 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (7件)：

G11C 11/15 ,  G11C 11/14 A ,  H01F 10/00 ,  H01F 10/06 ,  H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R ,  H01L 27/10 447

Fターム (9件)：

2G017AD55 ,  2G017AD62 ,  2G017AD64 ,  5E049AA04 ,  5E049AC05 ,  5E049BA30 ,  5E049CB02 ,  5E049CB10 ,  5F083FZ10