特許
J-GLOBAL ID：200903069978259826
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-247820
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106418
出願日： 1993年10月04日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】この発明は、配線断線不良の発生を防止し、且つ高速、高周波数動作をさせる際の信号遅延の発生を防止する。【構成】ビアホ-ル26a の内及び第3のTEOS酸化膜27の上にカ-ボン28a からなる赤外線吸収体28を形成する。次に、赤外線吸収体28に赤外線を照射することにより、赤外線吸収体28の温度を350°Cとする。この結果、ビアホ-ル26aの近傍における第2のTEOS酸化膜26中のSi-F、Si-OH、Si-H結合基等の不純物を、分解し、酸化膜26の外へ拡散することにより、赤外線吸収体28の近傍に不純物の濃度を低下させた領域26b を形成する。次に、赤外線吸収体28を除去し、ビアホ-ル26a の内及び第3のTEOS酸化膜27の上に第2の金属配線29を形成している。従って、配線断線不良の発生を防止でき、且つ高速、高周波数動作をさせる際の信号遅延の発生を防止できる。
請求項（抜粋）：
第1の金属配線と、前記第1の金属配線の上に設けられ、Si-F結合基を低濃度で含む領域とSi-F結合基を高濃度で含む領域とを有する絶縁膜と、前記Si-F結合基を低濃度で含む領域に設けられた前記第1の金属配線の上に位置するビアホ-ルと、前記ビアホ-ルの内及び前記ビアホ-ル近傍の前記絶縁膜の上に設けられた第2の金属配線と、を有する多層配線を具備することを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/90 S
, H01L 21/90 V
