特許
J-GLOBAL ID：200903069993156987
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-017389
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217940
出願日： 1992年02月03日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】コンタクト孔内にアルミニウム膜をリフローして埋込み形成する電極配線と拡散層との反応を防止する。【構成】酸化シリコン膜3に設けたコンタクト孔4を含む表面にCVD法によりチタンタングステン膜5及びタングステン膜6を順次堆積した後、基板温度をアルミニウムの融点近くに設定した状態でスパッタ法によりアルミニウム合金膜7を堆積し且つリフローさせてコンタクト孔4内に充填し埋込む。
請求項（抜粋）：
一導電型半導体基板の一主面に選択的に設けた逆導電型拡散層を含む表面に絶縁膜を設け前記絶縁膜を選択的に開孔してコンタクト孔を設ける工程と、前記コンタクト孔を含む表面にCVD法によりバリアメタル膜を形成する工程と、前記バリアメタル膜の上にアルミニウム又はアルミニウム合金膜を堆積してリフローさせ前記コンタクト孔内を充填して埋込む工程と、前記アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜及びバリアメタル膜を選択的に順次エッチングして前記拡散層と電気的に接続する電極配線を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 21/3205
, H01L 21/90
