特許

J-GLOBAL ID：200903069993510845

半導体レーザダイオード

発明者： 岡本 國美 ,  太田 裕朗
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (2件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-040074
公開番号（公開出願番号）：特開2008-226865
出願日： 2007年02月20日
公開日（公表日）： 2008年09月25日
要約：

【課題】レーザ発振効率を高め、閾値電流を低減することが可能な半導体レーザダイオードを提供する。【解決手段】ファブリペロー型の半導体レーザダイオード70は、基板1と、この基板1上に形成されたIII族窒化物半導体積層構造2とを含む。基板1は、m面を主面としたGaN単結晶基板である。III族窒化物半導体積層構造2が結晶成長させられている。III族窒化物半導体積層構造2は、m軸を結晶成長の主面としており、m軸方向に、n型半導体層11、発光層10、およびp型半導体層12を積層して構成されている。n型半導体層11はn型AlGaNクラッド層14を含み、p型半導体層12はp型AlGaNクラッド層18を含む。リッジストライプ20は、c軸に平行であり、一対の共振器端面21,22は、+c面と-c面である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

m面を結晶成長の主面とするIII族窒化物半導体からなり、m軸方向に、n型クラッド層、発光層、およびp型クラッド層を積層したIII族窒化物半導体積層構造を備えた、半導体レーザダイオード。

IPC (1件)：

H01S 5/22

FI (1件)：

H01S5/22

Fターム (6件)：

5F173AA08 ,  5F173AF20 ,  5F173AF40 ,  5F173AH22 ,  5F173AQ01 ,  5F173AR23

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-207783   出願人：住友電気工業株式会社