特許

J-GLOBAL ID：200903069997934208

半導体装置

発明者： 永松 隆重
出願人/特許権者： 九州日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-186011
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029425
出願日： 1991年07月25日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】プラズマCVD装置により成膜した層間膜、又は保護膜内に蓄積された電荷が、拡散層層抵抗不純物濃度に与える影響を確認することが出来る拡散層層抵抗測定パターンをもつ半導体装置を提供することを目的とする。【構成】半導体基板1中に不純物を拡散させた拡散層2の層抵抗を測定するパターンにおいて、その測定パターン上の層間膜3又は保護膜5,6のうち保護膜5がプラズマCVD装置を用いて成膜した膜としたとき、従来の測定パターンa部の他にb部測定パターンを設けb部の測定パターンではプラズマCVD装置で成膜した保護膜5を除去した構造を有し、a部,b部の層抵抗を個々に測定・比較することにより目的を達成できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板中に不純物を拡散させた拡散層の層抵抗を測定するパターンを有する半導体装置において、前記層抵抗測定パターン上の層間膜又は保護膜のうち任意の膜を除去した構造の層抵抗測定パターンと除去しない構造の層抵抗測定パターンを併せ持つことを特徴とする半導体装置。