特許

J-GLOBAL ID：200903070000327330

p型窒化ガリウム系化合物半導体層の製造方法

発明者： 八幡 彰博 ,  西尾 譲司 ,  藤本 英俊
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-070242
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274557
出願日： 1998年03月19日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 n型GaN層上に形成したp型GaN層をアニールによって低抵抗化することができ、且つアニール中におけるn型GaN層の劣化を防止する。【解決手段】 n型GaN層13上に低抵抗のp型GaN層14を製造する方法において、サファイア基板11上にMOCVD法でGaNバッファ層12を介してSiドープのn型GaN層13を成長し、次いでn型GaN層13上にMgドープのp型GaN層14を成長し、しかるのち波長337nmの窒素レーザを照射しつつ、窒素ガスを流しながら300パスカルの減圧下で、350°Cで30分間のアニールを施す。

請求項（抜粋）：

n型窒化ガリウム系化合物半導体層上に気相成長法によってp型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体層を成長する工程と、窒素ガスを流しながら20〜1000パスカルの減圧下で、前記成長した窒化ガリウム系化合物半導体層に該半導体層の禁制帯幅以上のエネルギーの光を照射しながら、該半導体層を200〜400°Cの温度でアニールする工程とを含むことを特徴とするp型窒化ガリウム系化合物半導体層の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/268

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/268 F