特許
J-GLOBAL ID：200903070001165104
アンチモン化インジウム(InSb)層形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-235817
公開番号（公開出願番号）：特開平10-183349
出願日： 1997年09月01日
公開日（公表日）： 1998年07月14日
要約：
【要約】【課題】 順次蒸着法を用いてより簡単なプロセスでアンチモン化インジウム(InSb)層を形成するInSb層形成方法を提供する。【解決手段】 基板100を準備し、基板100とアンチモン(Sb)層110との間の接着力を向上させるために基板100を予備加熱し、基板100の上にSb層110を蒸着し、Sb層110の上にインジウム(In)120層を蒸着して順次蒸着層を形成し、Sb層110の再蒸発を抑止するために順次蒸着層の上に保護層130を形成し、Sb及びInが相互拡散するように、順次蒸着層を熱処理してInSb層140を形成する。
請求項（抜粋）：
順次蒸着法を用いて、高い電子移動度を有し磁性感知物質として用いるアンチモン化インジウム(InSb)層を形成するInSb層形成方法であって、基板を準備する第a過程と、前記基板の上にアンチモン(Sb)層を蒸着する第b過程と、前記Sb層の上にインジウム(In)層を蒸着して、前記Sb層及び前記In層が順に蒸着された順次蒸着層を形成する第c過程と、Sb及びInが相互拡散するように、前記順次蒸着層を熱処理して前記InSb層を形成する第d過程とを含むことを特徴とするInSb層形成方法。
IPC (3件)：
C23C 14/58
, C23C 14/06
, C23C 28/02
C23C 14/58 A
, C23C 14/06 G
, C23C 28/02
